DDR3内存进入市场三年了，现在已经替代DDR2内存成为了市场的主流产品。JEDEC和内存制造厂商正在计划下一代用于取代DDR3规格的内存型号：DDR4。按照之前的计划我们可以在2012年看到成品，但是现在这个时间恐怕要拖延到2015年了。

内存线路图

在最近的MemCon Tokyo 2010可以看见内存厂商的线路图，上面已经很明确的表明DDR4内存被推迟到了2015年，因为大部分业内人士认为2012年还没有到DDR4取代DDR3内存的时机。做为推迟DDR4的补充，JEDEC的标准中也出现了更高频率的DDR3内存规格，但是默认时序也大大的提高了，例如工作在2133MHz的内存默认时序为12-12-12，而现在DDR3 1333MHz的时序为8-8-8或者9-9-9。

DDR3与DDR4内存访问机制改变

按照现在的计划来看，DDR4内存的访问机制已经改变了，DDR3内存访问是采用的是双通道，而DDR4则是在每个单独的内存条中采用点对点接口进口进行访问。这相对现在的桌面产品来说并不存在太大的影响，但是对于服务器以及工作站却存在一定的问题。改变内存访问机制在一定程度上限制了更大的内存容量，尤其是在服务器和高端工作站上面。

不过可能的解决方案包含添加一个内存开关来使内存控制器工作于不同的模式之下，这样可以使主板的布线变得更加的简单。

开关切换扩大每通道容量的解决方案

DDR4内存总体设计方案投影图

硅穿孔(TSV)技术来提升容量密度解决方案

还有一种选择就是使用FB-DIMM技术，就想现在的DDR3一样，但是这相对于增加内存总线开关来说会带来更加高昂的花费。当然同时还有其他几种解决方案，我们暂时只能够等待，一切工作都在进行之中，最后我们会得到一个最优的解决方案。

从线路图中我们可以看出，DDR4的起跳频率为2133MHz，虽然现在一些高端的DDR3内存已经可以达到这个速度甚至可以更快。在线路图中DDR4内存的最高频率达到了4266MHz，不过这很有可能要等到2020年才可能实现。

内存制程发展路径

我们再次看到了更低的电压模块，相比1.2V来说，1.1V或者1.05V可能成为最后的规格。降低电压在高频率之下显得非常的困难，至少现在的制造工艺还不能够达到这个标准。DRAM产业已经准备在2013年转向三十纳米以下的制造工艺，这应该有助于解决这个问题。

电压持续下降

不像GDDR5内存使用4通道来提高内存性能，在DDR4之中我们并没有看到太大的技术进步。所以在相同的时钟频率之下，DDR4相比于DDR3并没有太多的性能优势，就像DDR3和DDR2在相同频率之下也不具有太多性能优势一样。但至少内存行业并没有止步，而是一直在推出新标准来推动整个行业的发展。